세라믹 제품

TaC 코팅 흑연 웨이퍼 캐리어

GaN 및 SiC 박막 증착 장비용

모멘티브 테크놀로지스는 탄탈탄화물(TaC) 코팅이라는 독점적인 코팅 기술을 제공합니다. 높은 온도로 인해
안정성과 높은 내화학성을 갖춘 TaC는 흑연 반응기 부품의 수명을 연장하고 LED, 딥 UV, 전력 전자 제품의 GaN 및 SiC 소자 생산에서 공정 수율과 제품 품질을 개선합니다.

주요 특성

  • 온도 안정성 >2200 °C
  • 초고순도
  • H2, NH3, SiH4에 대한 내성
  • 열 충격 저항성
  • 흑연에 강한 접착력
  • 컨포멀 코팅 커버리지
  • 최대 직경 750mm 크기

활용 분야

  • 웨이퍼 캐리어
  • 유도 가열 서셉터
  • 저항성 발열체
  • 위성 디스크
  • 샤워헤드
  • 사출 노즐
  • 마스킹 링
  • 열 차폐

높은 결정성과 우수한 균일성을 갖춘 TaC 코팅

TaC-Coating-with-High-Crystallinity-and-Excellent-Uniformity 10µm
10µm
TaC-Coating-with-High-Crystallinity-and-Excellent-Uniformity 300µm
300µm

1500°C에서 NH3의 TaC 및 SiC 코팅의 내식성 비교

TaC와 SiC 코팅의 일반적 특성 비교

밀도(gm/cm3) 방사율(1) CTE (x10-6/K) 경도(HK) 저항(Ohm-cm) 열 안정성 NH3에서의 식각율(μm/hr)(2) H3의 에칭 속도(3 )(μm/hr) 두께 변화 흑연 규격 변화
TaC
14.3
0.3
6.3
2000
1x10-5
>2200 °C
0.2
0.1
~5%
~17μm
SiC
3.2
0.8
4.5
2800
2x10-3
<1600 °C
1.5
1.7
~10%
~100μm

참고 : 시험 데이터입니다. 실제 결과는 다를 수 있습니다.
일반적인 특성은 평균적인 데이터에 근거한 것이므로 개발 사양이 아니며, 개발 사양으로 사용하여서도 안 됩니다.
(1) 방사율은 1000 °C, 950nm에서 측정한 수치입니다.
(2) 식각율은 1400 °C와 500 토르, NH3에서 측정한 수치입니다.
(3) 식각율은 1400 °C와 760 토르, H2에서 측정한 수치입니다.

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TaC 코팅 흑연 웨이퍼 캐리어

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TaC 코팅 흑연 웨이퍼 캐리어

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