세라믹 제품
TaC 코팅 흑연 웨이퍼 캐리어
GaN 및 SiC 박막 증착 장비용
모멘티브 테크놀로지스는 탄탈탄화물(TaC) 코팅이라는 독점적인 코팅 기술을 제공합니다. 높은 온도로 인해
안정성과 높은 내화학성을 갖춘 TaC는 흑연 반응기 부품의 수명을 연장하고 LED, 딥 UV, 전력 전자 제품의 GaN 및 SiC 소자 생산에서 공정 수율과 제품 품질을 개선합니다.
주요 특성
- 온도 안정성 >2200 °C
- 초고순도
- H2, NH3, SiH4에 대한 내성
- 열 충격 저항성
- 흑연에 강한 접착력
- 컨포멀 코팅 커버리지
- 최대 직경 750mm 크기
활용 분야
- 웨이퍼 캐리어
- 유도 가열 서셉터
- 저항성 발열체
- 위성 디스크
- 샤워헤드
- 사출 노즐
- 마스킹 링
- 열 차폐
높은 결정성과 우수한 균일성을 갖춘 TaC 코팅
1500°C에서 NH3의 TaC 및 SiC 코팅의 내식성 비교
TaC와 SiC 코팅의 일반적 특성 비교
| 밀도(gm/cm3) | 방사율(1) | CTE (x10-6/K) | 경도(HK) | 저항(Ohm-cm) | 열 안정성 | NH3에서의 식각율(μm/hr)(2) | H3의 에칭 속도(3 )(μm/hr) | 두께 변화 | 흑연 규격 변화 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TaC |
14.3 |
0.3 |
6.3 |
2000 |
1×10-5 |
>2200 °C |
0.2 |
0.1 |
~5% |
~17μm |
|
SiC |
3.2 |
0.8 |
4.5 |
2800 |
2×10-3 |
<1600 °C |
1.5 |
1.7 |
~10% |
~100μm |
참고 : 시험 데이터입니다. 실제 결과는 다를 수 있습니다.
일반적인 특성은 평균적인 데이터에 근거한 것이므로 개발 사양이 아니며, 개발 사양으로 사용하여서도 안 됩니다.
(1) 방사율은 1000 °C, 950nm에서 측정한 수치입니다.
(2) 식각율은 1400 °C와 500 토르, NH3에서 측정한 수치입니다.
(3) 식각율은 1400 °C와 760 토르, H2에서 측정한 수치입니다.
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